依据客户提出数据要求反向脉冲电压≥330KV（峰值）、猝发3或4个脉冲条件
下，脉宽≥120ns、脉冲间隔≤2000ns、正向脉冲电流≥10KA、反向恢复时间≤
75ns、封装后尺寸直径80mm、长度290mm俩端M8螺纹孔，我司根据以上数据
做出如下生产方案：
1. 反向电压：
①如上信息所示想要得到一个反向330KV的电压需要对半导体硅粒子进行串
联来提高整体反向电压. ②传统的串联电路达到330KV的反向电压体积会很大，φ80*290mm这个
体积明显无法采用普通串联方式进行生产，故我司建议采用环形多层碟片错位连
接方式进行生产可以实现在有限空间内达到反向电压330KV的参数要求。
2. 脉冲电流：
①如上信息所示想要承受10KA 脉宽120ns的浪涌冲击，单个半导体硅粒子
无法实现，需要对半导体硅粒子进行并联处理。
②多组并联可以达到承受10KA的脉冲冲击，但由于体积受限所以我司采用
环形同阴共阳同心式并联方式来承受脉冲电流冲击，此方式每个硅粒子可均匀承
受脉冲电流冲击。
反向脉冲耐压V≥330kV（峰-峰值，猝发3或4个脉冲条件下，脉冲宽度≥120ns，脉冲间隔≤2000ns），与金属圆筒组成48Ω同轴线结构时≥300kV（峰-峰值，猝发3或4个脉冲条件下，脉冲宽度≥120ns，脉冲间隔≤2000ns）；正向脉冲电流I≥10kA;反向恢复时间T≤75ns；封装后直径80mm，长度290mm，两端留M8螺纹孔
